страница нах. в разработке  



Главная приемник 27М К561ИЕ16 J-Антенна транзисторы

Схема УВЧ

на транзисторах 2N3904 или КТ3102 и BFG591;
Приемники(схемы)

#27 МГЦ #144 МГЦ

Малогабаритный приемник СИ-БИ диапазона

П. Вендеревский

Радиоприемник предназначен для портативных радиостанций Си-Би диапазона с амплитудной модуляцией сиrнала. Ero рабочая частота стабилизирована кварцевым резонатором. Чувствительность приёмника при соотношении сиrнал-шум 16 дБ не хуже 3 мкВ. Входное сопротивление 50 Ом.
Выходная мощность не менее 100 мВт.
Ток, потребляемый приёмником в дежурном режиме при напряжении питания 3,6 В, не более 5 мА.
Приёмник сохраняет работоспособность в интервале питающих напряжений от 2,5 до8 В.
Отличительная особенность этоrо устройства- применение микросхемы ТА2003 (Аналоги: CD2003, KA2297, TA8164Р), разработанной для промышленных радиоприёмников АМ (средневолновоrо) и FM диапазонов. Опытным путём было установлено, что собственный rетеродин и смеситель тракта АМ микросхемы ТА2003 устойчиво работают и на частотах Си-Би диапазона 27 мrц. Так как внутренний rетеродин микросхемы не предусматривает использование кварцевоrо peзонатора, в приёмнике применён внешний rетеродин.
Описываемый приёмник очень прост в изrотовлении, в нём использованы широко распространённые детали. Радиочастотный сиrнал с антенны через разделительный конденсатор С1 поступает на колебательный контур L 1 С2, который осуществляет предварительную селекцию сиrнала.
Чтобы обеспечить входное сопротивление приёмника, близкое к 50 ОМ, конденсатор С 1 подключён к части витков катушки L 1. Через катушку связи L2 ВЧ напряжение с контура поступает на вход усилителя высокой частоты АМ тракта микросхемы DА 1 (вывод 16) и далее на АМ смеситель входящий в состав этой микросхемы. На второй вход смесителя через вывод 12 подаётся сиrнал rетеродина, выполненноrо на транзисторе VТ1. Рабочая частота гeтeродина определена параметрами квapцевоrо резонатора ZQ1. Полученный в смесителе сигнал промежуточной частоты 455 кrц через полосовой фильтр Z1 поступает на вход УПЧ микросхемы DА1 (вывод 7). К выходу детектора АРУ УПЧ (вывод 5 микросхемы) подключён конденсатор С9, на котором выделяется управляющее напряжение, необходимое для реrулировки усиления УПЧ.
Усиленный и прошедший через амплитудный детектор сиrнал промежуточной частоты с вывода 11 микросхемы поступает на ФНЧ, выполненный на элементах R4, С5. С6. Выделенный фильтром сиrнал звуковой частоты через реrулятор rромкости (переменный резистор А5) поступает на усилитель ЗЧ микросхему DА2, которая работает в типовом для неё мостовом включении, а к её выходу подключён rромкоrоворитель ВА1 На транзисторе VТ2 собран
шумоподавитель. Пороr ero срабатывания реrулируют переменным резистором R6 В отсутствие на входе приёмника радиосиrнала напряжение на выходе детектора АРУ минимально и составляет при мерно 10...80 мВ.

Транзистор VТ2 закрыт напряжением смeщения, определяемым сопротивлением резистора R6. При этом напряжение на выводе 1 микросхемы DА2 (вход "Chip OisabIe") высокое и она, соответственно, находится в дeжурном режиме. Коrда на входе приёмника появляется ВЧ сиrнал, напряжение АРУ увеличивается, транзистор VТ2 открывается и напряжение на входе "Chip Disable/StandBy" микросхемы DА2(MC34119P, AN7513) уменьшается. Это приводит к переходу микросхемы из режима ожидания в рабочий режим. Металлический корпус кварцевоrо резонатора необходимо соединить с общим проводом устройства. Для этоrо ero прижимают к печатной плате отрезком луженоrо медноrо провода, который запаивают в отверстия. размещенные около резистора R3 и конденсатора С3. Отверстия в прямоуrольных площадках в левой части платы (по два в каждой) используются для крепления переменных резисторов R5 и R6, которые также pacполаrают с обратной стороны платы.
Вид rотовой конструкции приведён на фотоrрафии.


Катушки L1-L3 - бескаркасные. Их наматывают виток к витку проводом
ПЭВ-2. Катушка L1 содержит 17 витков провода диаметром 0,5 мм. Диаметр намотки 5 мм. Отвод сделан от 5-ro витка, считая от вывода, соединённоrо с общим проводом. Катушка L2 намотaнапроводом диаметром 0,35 мм. Число витков - 6, диаметр намотки 7 мм. Перед установкой на плату катушку L2 надевают поверх катушки L 1 .
Катушку L3 наматывают проводом диаметром 0,5 мм. Число витков 14, диаметр намотки 5 мм. Отвод от cepeдины катушки. При рабочей частоте приёмника 26.545 мrц частота кварцевоrо резонатора ZQ1 должна быть 27 мrц. При настройке приёмника на друrие рабочие частоты частота кварцевоrо резонатора должна превышать рабочую на 455 кrц. Фильтр Z 1 желательно применить типа SFU455C5, но можно и друrой аналоrичный. Все постоянные конденсаторы малоrабаритные керамические, оксидные K50-35 или аналоrичные импортные Переменные резисторы R5, R6 малоrабаритные, любоrо типа с сопротивлением 4,7...22 кОм. rромкоrоворитель ВА 1 -динамическая rоловка мощностью 0.25...0.5 Вт с сопротивлением звуковой катушки не менее 8 Ом. Tpaнзистор VТ1 - КТ315 с любым буквенным индексом, VT2
КП303А или КП303Б. Источником питания радиоприёмника служит NiCd аккумуляторная батарея напряжением 3,6 В и мкостью 600 мА.ч Перед первым включением приёмника следует проверить правильность монтажа. Налаживание приёмника сводится к настройке входноrо контура L1C2 и контура rетеродина L3C4. Это осуществляют, раздвиrая крайние витки катушек. Первым на- страивают контур rетеродина. Показателем ero точной настройки на частоту резонатора служит Maксимальное постоянное напряжение на резисторе R3. Для нaстройки входноro контура на ход приёмника необходимо подать сиrнал от reнepaтopa стaндартных сиrналов частотой 26,545 мrц и нaпряжением около 1 мкВ. Контролировать точную настройку вxoднoro контура можно по мак-симальному нaпряжению АРУ УПЧ на выводе 5 микросхемы DА 1 .
Если нет возможности использовать rcc, подключите к входу приёмника aнтенну и нaстройте контур по сиrналу работающей радиостанции. По окончании настройки следует зафиксировать витки катушек несколькими каплями полистирольноrо клея
Взято отсюда: Малогабаритный приемник СИ-БИ диапазона

DZEN.ru: Однополосный SSB радиопередатчик на 4 транзисторах. (видео: Артем Косицын)






Делитель напряжения

№ pin  делитель   частота вых.  такт мксек.
f(вх.) = 4 МГц.
10  1 / 0  4000000  0.00025 mS 
9  2 / 2  2000000  0.0005 mS 
 3 / 4  1000000  0.001 mS 
 4 / 8  500000  0.002 mS 
7  5 / 8  250000  0.004 mS 
5  6 / 32  125000  0.008 mS 
4  7 / 64  62500  0.016 mS 
6  8 / 128  31250  0.032 mS 
13  9 / 256  15625  0.064 mS 
12  10 / 512  7812.5  0.128 mS 
14  11 / 1024  3906.25  0.256 mS 
15  12 / 2048  1953.125  0.512 mS 
1  13 / 4096  976.5625  1.024 mS 
2  14 / 8192  488.28125  2.048 mS 
3  15 / 16384  244.140625  4.096 mS 

 Расчет размеров J-антенны по частоте;





J-антенна

справка по VHF/UHF транзисторам
 Транзистор   маркировка   структура   ток кол.   Мощность   частота   Hfe(21э)   Корпус
2SC6144 C6144 NPN 10 25 330 150-160 TO220F
2SA2169 A2169 NPN 10 20 200 500-630 TO-251\252
2SC6017 C6017 PNP 10 20 200 500-630 TO-251\252
2SC5707 C5707 NPN 8(10) 15 330 250-350 TO-251\252
2SC5706 C5706 NPN 5(7.5) 15 400 250-560 TO-251\252
2N3904 2N3904 NPN 0.2 0.625(ON) 300 60-300 TO-92
2N3906 2N3906 PNP 0.2 0.625(ON) 300 60-300 TO-92
P2N2222A 2N2222A NPN 0.6 0.625 300 100-300 TO-92
P2N2907A 2N2907 PNP 0.6 0.625 300 100-300 TO-92
2SC1959Y C1959 NPN 0.5 0.5 300 120-240 TO-92
2SC4204 C4204 NPN 0.7 0.6 270 820-2700 TO-92
2SD2144S D2144 NPN 0.5 0.3 350 600-800* TO-92*
2SC3616 C3616 NPN 0.7 0.75 250 800* TO-92
PZT2222 P1F NPN 0.6 1.5 300 50..300 SOT223
PZT2907A 2907 PNP 0.6 1.5 300 50..300 SOT223
BFG591 BFG591 NPN 0.2 2 7000 60-250 SOT223
BFU590GX BFU590 NPN 0.2 2 8000 60-130 SOT223
BLT81 BLT81 NPN 0.5 2 900 25... SOT223
BSP61 BSP61 PNP 1 1.25 200 ...2000... SOT223
2SC3357 3357 NPN 0.1 1.2 6500 ~50 SOT-89
2N5109 2N5109 NPN 0.4 2.5 1200 90-170* TO-39
ГТ313Б ГТ313Б PNP 0.05 470-520 30-60 TO-39
---  --   --   --   --   --   -- 
2SK3078 UW N-chan 0.5 900 12.5dB SOT89
RD01MUS2B K5 N-chan 0.6 1.6 527 15dB SOT89


P/N Корпус Категория Режимы Частота f, МГц Мощность PL, Вт Усиление по мощности GP Напряжение питания VDS, В
BLF6G22LS-75 SOT502B LDMOS WCDMA 2000-2200 17 18,7 28
BLF7G22L-130 SOT502 LDMOS - 2110-2170 44,8 18,5 28
BLF7G22LS-130 SOT502 LDMOS - 2110-2170 44,8 18,5 28
BLF6G22-45 SOT608A LDMOS WCDMA 2000-2200 2,5 18,5 28
BLF3G22-30 SOT608A UHF LDMOS 2-TONE 2000-2200 30 14 28
BLF6G38-25 SOT608A WiMAX LDMOS   3400-3800 4,5 15 28
BLF6G38S-25 SOT608B WiMAX LDMOS   3400-3800 4,5 15 28
BLF4G10-160 SOT502A UHF LDMOS CDMA 2-TONE EDGE; CW 800-1000 160 19,7 28
BLD6G22L-50 SOT1130 LDMOS Doherty - 2110-2170 8 12,7 28
BLD6G22LS-50 SOT1130 LDMOS Doherty - 2110-2170 8 12,7 28
BLF6G27-45 SOT608A WiMAX LDMOS - 2500-2700 7 18 28
BLF6G27S-45 SOT608B WiMAX LDMOS - 2500-2700 7 18 28
BLF6G38-100 SOT502A   - 3400-3600 18,5 13 28
BLF6G38LS-100 SOT502B   - 3400-3600 18,5 13 28
BLF6G20-40 SOT608A LDMOS - 1800-2000 2,5 18,8 28
BLF6G27-75 SOT502A WiMAX LDMOS - 2500-2700 9 17 28
BLF6G27LS-75 SOT502B WiMAX LDMOS - 2500-2700 9 17 28
BLM6G22-30 SOT834-1 W-CDMA 2100 МГц to 2200 МГц power MMIC WCDMA 2100-2200 2 30 28
BLM6G22-30G SOT822-1 W-CDMA 2100 МГц to 2200 МГц power MMIC WCDMA 2100-2200 2 30 28
BLF4G20-110B SOT502A UHF LDMOS   1800-2000 100 13,5 28
BLF2045 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE 1800-2000 26 10 26
BLF3G21-30 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE 2200 30 13,5 26
BLF6G10-135RN SOT502A LDMOS - 800-1000 26,5 21 28
BLF6G10LS-135RN SOT502B LDMOS - 800-1000 26,5 21 28
BLF3G21-6 SOT538A UHF LDMOS 2-TONE 1800-2200 30 15,5 26
BLF6G20-180RN SOT502A LDMOS - 1800-2000 40 17,2 30
BLF6G20LS-180RN SOT502B LDMOS - 1800-2000 40 17,2 30
BLF6G22-180RN SOT502A LDMOS - 2000-2200 40 16 30
BLF6G22LS-180RN SOT502B LDMOS - 2000-2200 40 16 30
BLF6G20-75 SOT502A LDMOS EDGE 1800-2000 29,5 19 28
BLF6G20LS-75 SOT502B LDMOS EDGE 1800-2000 29,5 19 28
BLF1822-10 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE 2200 10 13,5 26
BLF4G20LS-130 SOT502B UHF LDMOS - 1800-2000 130 14,7 28
BGF802-20 SOT365C CDMA800 power module - 869-894 30 30 30
BLF6G10-200RN SOT502A LDMOS - 688-1000 40 20 28
BLF6G10LS-200RN SOT502B LDMOS - 688-1000 40 20 28
BLF6G38-10G SOT975C   - 3400-3600 2 14 28
BGF844 SOT365C GSM800 EDGE power module - 869-894 27 30 30
BLF6G20-230PRN SOT539 LDMOS - 1805-1880 50 16,5 30
BLF1043 SOT538A UHF LDMOS 1-TONE
2-TONE		 800-1000 10 16,5 26
BLF6G20-110 SOT502A LDMOS WCDMA 1800-2000 25 19 28
BLF6G20LS-110 SOT502B LDMOS WCDMA 1800-2000 225 19 28
BLF6G10-160RN SOT502A LDMOS - 800-1000 32 22,5 32
BLF6G10LS-160RN SOT502B - - - - - -
BLF6G38-50 SOT502A WiMAX LDMOS - 3400-3800 9 14 28
BLF6G38LS-50 SOT502B WiMAX LDMOS - 3400-3800 9 14 28
BLF6G20LS-140 SOT502B LDMOS - 1800-2000 35,5 16,5 28
BLF6G22-180PN SOT539A LDMOS WCDMA 2000-2200 50 17,5 32
BGF944 SOT365C GSM900 EDGE power module   920-960 24 29 30
BLF2043 SOT538A UHF LDMOS CW 2200 10 11,8 26
BLF1820-90 SOT502A UHF LDMOS   1800-2000 90 11 26
BLF6G22S-45 SOT608B LDMOS WCDMA 2000-2200 2,5 18,5 28
BLF4G10S-120 SOT502B UHF LDMOS 2-TONE CW; EDGE 800-1000 120 19 28
BLF4G20LS-110B SOT502B UHF LDMOS   1800-2000 48 13,8 28
BLF6G10-45 SOT608A - - 800-1000 1 7,8 -
BLF2043F SOT467C UHF LDMOS CW 2200 10 11 26
BLF6G27-10 SOT975B WiMAX LDMOS - 2500-2700 2 19 28
BLF6G27-10G SOT975C WiMAX LDMOS - 2500-2700 2 19 28
BLF6G20-180PN SOT539A LDMOS - 1800-2000 50 18 32
BLF6G27-135 SOT502A WiMAX LDMOS - 2500-2700 20 16 32
BLF6G27LS-135 SOT502B WiMAX LDMOS - 2500-2700 20 16 32
BLF6G22LS-100 SOT502B LDMOS WCDMA 2000-2200 25 18,5 28
BLF4G22-130 SOT502A UHF LDMOS   2000-2200 33 13,5 28
BLF6G10S-45 SOT608B LDMOS WCDMA 800-1000 1 23 28
BLF1046 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE
1-TONE		 860-1000 45 14 26
BLD6G21L-50 SOT1130 LDMOS Doherty - 2010-2025 8 12,6 28
BLD6G21LS-50 SOT1130 LDMOS Doherty - 2010-2025 8 12,6 28
BLF6G20-45 SOT608A LDMOS WCDMA 1800-2000 2,5 19,2 28
BLF6G20S-45 SOT608B LDMOS WCDMA 1800-2000 2,5 19,2 28
BLF6G21-10G SOT538A LDMOS - HF-2200 2 19,3 28
BLF6G22LS-130 SOT502B LDMOS WCDMA 2000-2200 30 17 28

Широковещательные транзисторы

Более 25 лет компания Philips сохраняла свое лидерство в области производства широковещательных транзисторов, это наследие перешло компании NXP, и на данный момент компания NXP поддерживая традиции предшественника, продолжает сохранять одно из лидирующих мест в этой области, пополняя свое портфолио все новыми и новыми высококачественными продуктами. Используя технологию LDMOS, компания NXP все больше укрепляет свои позиции в области производства широковещательных транзисторов, и на данный момент выпускает более 30 видов высокочастотных транзисторов для вещательных станций, которые представлены следующими элементами:

P/N Корпус Категория Режимы Частота f, МГц Мощность PL, Вт Усиление по мощности GP Напряжение питания VDS, В
BLF244 SOT123A VHF MOS - 175-230 15 65 17
BLF404 SOT409A UHF LDMOS CW; 1-TONE 500 4 55 15
BLF544 SOT171A UHF MOS 1-TONE 500 20 50 7
BLF369 SOT800-2 Multi-use VHF LDMOS - 10-500 500 55 19
BLF574 SOT539A HF/VHF LDMOS 1-TONE 10-500 500 70 26,5
BLF245 SOT123A VHF MOS - 175-230 30 67 15,5
BLF878 SOT979A UHF LDMOS 2-TONE 470-860 300 46 21
BLF246B SOT161A RF amplifier - 175-230 60 65 19
BLF542 SOT171A UHF MOS 1-TONE; CW 500 5 59 16,5
BLF571 SOT467C HF/VHF LDMOS 1-TONE 10-500 20 70 27,5
BLF578 SOT539A LDMOS - 10-500 1200 70 24
BLF202 SOT409A HF/VHF MOS - 175-230   55 13
BLF147 SOT121B VHF MOS - 28-108 20 40 19
BLF368 SOT262A1 RF amplifier - 175-230 300 62 13,5
BLF546 SOT268A RF amplifier 1-TONE 0-500 80 60 13
BLF548 SOT262A2 UHF push-pull MOS 1-TONE 0-500 150 55 11
BLF145 SOT123A - - - - - 27
BLF177 SOT121B - - - - 40 -
BLF521 SOT172D UHF MOS 1-TONE; CW 500 2 60 13
BLF645 SOT540 UHF LDMOS - HF-1400 100 63 18
BLF245B SOT279A RF amplifier - 175-230 30 65 18
BLF647 SOT540A RF amplifier 2-TONE 0-800 120 45 13
BLF246 SOT121B VHF MOS - 108 80 55 16
BLF278 SOT262A1 RF amplifier - 175-230 300 70 22
BLF871 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE HF-1000 100 47 21
BLF175 SOT123A - - - - - 28
BLF861A SOT540A UHF LDMOS 2-TONE 470-860 150 60 14
BLF242 SOT123A HF-VHF MOS - 175-230 - 60 16
BLF248 SOT262A1 RF amplifier - 175-230 300 65 11,5
BLF573S SOT502B HF/VHF LDMOS - 10-500 300 70 27,2
BLF888 SOT979A UHF LDMOS - 470-860 110 40 18
BLF346 SOT119A VHF MOS - 175-230 24 - 14